Жарым өткөргүч буюмдарын ири келишимдик өндүрүүчү TSMC, булактын айтымында, 2 нанометрдик техникалык процессти өздөштүрүү пландаштырылган өндүрүштүк комплекстин курулушун баштады. Комплекс R&D борборун жана өндүрүштү камтыйт. Жаңы объекттер Тайвандын Хсинчу илимий паркындагы компаниянын башкы кеңсесинин жанында жайгашат.
Алдын ала маалыматтар боюнча, 2 нанометрдик процессте Gate-All-Around (GAA) технологиясы колдонулат. Ошол эле учурда өндүрүүчү 1 нанометрдик техникалык процессти иштеп чыгууну пландаштыра баштады.
Кристаллды өндүрүү технологиялары менен бирге компания таңгактоо технологияларын өркүндөтүүдө. Ал SoIC, InFO, CoWoS жана WoW сыяктуу алдыңкы таңгактоо технологияларын кабыл алууну тездетүүнү пландаштырууда. Алардын баары TSMC тарабынан 3D Fabric катары классификацияланган, бирок алардын айрымдары 2.5Dге тиешелүү. Бул технологиялар 2021-жылдын экинчи жарымында ZhuNan жана NanKe линияларында массалык өндүрүшкө киргизилет.
Ошондой эле окуңуз: